型号:IDT71V416S12Y | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:44-BSOJ | 描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 4M (256K x 16) |
速度 | 12ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3 V ~ 3.6 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 44-BSOJ |
供应商器件封装 | 44-SOJ |
包装 | 管件 |
供应商
HECC GROUP CO,LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市源丰诚电子科技有限公司 | 朱先生0755-23919407 |
深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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固定式
Vishay Dale
1210(3225 公制)
INDUCTOR WW 180NH 10% 1210
- MMSZ5236ET1G
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SOD-123
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- IDT71V416S12BEI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
48-TFBGA
IC SRAM 4MBIT 12NS 48FBGA
- OPEDAS0256
配件
TT Electronics/Optek Technology
ENCODER 256PPR DISK ASSY SHAFT
- NTS353
AC DC 转换器
Emerson Network Power
SC-70,SOT-323
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- IHSM7832PJ392L
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Vishay Dale
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功率,高于 2 安
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- IMC1210SY100J
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1210(3225 公制)
INDUCTOR WW 10UH 5% 1210
- MMSZ5237B-7-F
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SOD-123
DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-123
- OPEDAS0256
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ENCODER 256PPR DISK ASSY SHAFT
- IDT71V416S12PHGI8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
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1210(3225 公制)
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
- IMC1210SY180J
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